a-Si/poly-Si叠层太阳能电池稳定性研究

摘要：

通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解泊松方程,对经高强度光辐照过的a-Si/poly-Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析.结果表明,光生空穴俘获造成的a-Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布,普遍抬高a-Si:H薄膜中电场强度.在光照射下,空间电荷效应不会给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si:H薄膜带来准中性区(低场"死层"),因而没有发生a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退.a-Si/poly-Si叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性.

关键词：a-Si:H光诱导性能衰退、空间电荷效应、a-Si:H隙态密度分布、Newton-Raphson解法

所属期刊栏目：25

分类号：TM914.4

资助基金：国家自然科学基金;安徽省自然科学基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：50-52,56