期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2000.01.015

量子阱材料盖层对结构稳定性和能带隙的影响

引用
介绍了应变量子阱材料单结点失配位错能量平衡模型;计算了一些典型量子阱结构的阱层临界应变和应变体材料的最大允许应变.报告了No.558压应变量子阱材料的实际阱层应变和No.9182材料非应变盖层对有源层带隙的影响.指出了非应变盖层对整个材料力学稳定性的提高有促进作用.初步分析了阱层临界应变的理论计算和实验结果之间差异的可能原因.

应变量子阱、表面盖层厚度、临界应变

25

TN304.2(半导体技术)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

46-49

暂无封面信息
查看本期封面目录

半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

25

2000,25(1)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn