纳米级富氮SiOxNy薄膜的电子注入损伤研究

摘要：

研究了在30V的直流偏压下,对PECVD工艺制备的SiOxNy薄膜进行电子注入,并结合俄歇谱和红外光谱对实验结果进行了讨论.结果表明,薄膜内有较多的受主陷阱,平带电压漂移在小电流下有显著变化;该方法对薄膜界面造成的损伤较小,禁带中的界面态密度变化不明显.

关键词：界面陷阱、雪崩、介质膜、热电子注入

所属期刊栏目：25

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：42-45