10.3969/j.issn.1003-353X.2000.01.012
SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射
通过x射线双晶衍射图形讨论了SiGe/Si HBT的电学特性与晶格结构的关系.
SiGe/Si、x射线双晶衍射、光程差、弛豫
25
TN304.054;TN304.07(半导体技术)
国家高技术研究发展计划(863计划)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
36-38
10.3969/j.issn.1003-353X.2000.01.012
SiGe/Si、x射线双晶衍射、光程差、弛豫
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TN304.054;TN304.07(半导体技术)
国家高技术研究发展计划(863计划)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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