期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.2000.01.006

光电双基区晶体管中的光控电流开关效应

引用
光电双基区晶体管在光电混合模式工作条件下具有光控"S"型负阻特性及其光控电流开关效应.测量了光照时IBE-VBE特性、Ith(光阈值)-RC特性等曲线.并利用电注入双基区晶体管的"S"型负阻产生机理解释了测得的结果.

光电负阻器件、光控电流开关

25

TN364+.3(半导体技术)

集成光电子学联合实验室基金

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

19-21,30

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

25

2000,25(1)

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