SIMOX材料注F+后的SIMS分析

摘要：

实验中采用三种剂量注入SIMOX(注氧隔离硅)材料中,注入剂量分别为5×1012F+/cm2,5×1013F+/cm2,1×1015F+/cm2,用SIMS技术分析了F在材料中的浓度分布,结果表明,随着注F+能量和剂量的改变,F+在材料中的深度分布也相应改变.

关键词：F离子注入、SIMOX、材料、SIMS分析、抗辐射

分类号：TN304;TN305.3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：34-35