期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.1999.05.009

CZ重掺锑硅单晶的锑和氧杂质

引用
介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点,并对单晶生长过程中出现的关键问题,如锑的挥发、氧含量减少的原因进行了探讨并提出了一些解决办法.

直拉硅单晶、锑掺杂、氧、电阻率

TN304;TN305.3(半导体技术)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

30-33

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

1999,(5)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn