期刊专题

10.3969/j.issn.1003-353X.1999.05.008

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声特性分析

引用
分析了第一激发态在势垒以上的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器中存在的几种基本噪声,讨论了它们对探测器性能的影响.

噪声特性、暗电流噪声、临界电场

TN215(光电子技术、激光技术)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

26-29

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

1999,(5)

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