用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术

摘要：

针对在MEMS加工中所要求的低温键合,提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术.研究了低温SDB的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的SDB提高近10倍的结论.最后详细探讨了其键合机理.

关键词：MEMS、低温硅片直接键合、氧等离子体激活

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：19-22