LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究

摘要：

介绍了绿色、红色发光GaP外延晶片不同发光强度的无损检测方法.分别用短紫外光(≤300nm)和蓝光(488nm)激发方式,在室温下,有效地观测了LED-GaP∶N(掺氮GaP晶片)的多峰PL谱.根据对上述两种发光GaP外延晶片的相对光强与金属杂质Fe、Cu、Ni和Cr(以Fe为主)紫外荧光(UVF)谱的实测数据的相关性,讨论了LED-GaP外延晶片的工艺质量优化和洁净度的问题.

关键词：GaP外延晶片、洁净度优化、无损检测、Fe杂质沾污

分类号：TN304.2+3;TN304.07;TN304.2+2(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：12-15