锗硅碳合金的制备及性能研究进展

摘要：

三元合金SiGeC中处于替代位置的碳能缓解SiGe合金的应变,并同时调节其能带结构.碳的加入对锗硅材料中应变的缓解及碳对合金能带结构的影响,尤其是弛豫状态下的锗硅材料及锗硅碳材料的调节作用本文进行了总结,并对其制备的方法机理做了分析.

关键词：SiGeC合金、能带结构、应变弛豫、价带补偿、荧光光谱

分类号：TN304.2+6;TN304.0(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

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