液相外延技术制备极低缺陷密度Si/SiO2SOI结构

摘要：

介绍了液相外延技术制备Si/SiO2SOI结构的方法、系统和几个重要环节及当前发展状况,同时指出液相外延技术对制备极低缺陷密度SOI结构具有广阔前景.

关键词：液相外延、横向外延过生长、SOI、缺陷密度、薄膜

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：41-44