10.3969/j.issn.1003-353X.1999.04.007
集成铁电电容的制备和研究
给出了一种在CMOS电路基础上制备集成铁电电容的方法.
铁电、薄膜、不挥发、存储器
24
TN384(半导体技术)
国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划(863计划)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
26-29
10.3969/j.issn.1003-353X.1999.04.007
铁电、薄膜、不挥发、存储器
24
TN384(半导体技术)
国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划(863计划)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
26-29
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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