10.3969/j.issn.1003-353X.1999.02.015
国产炉拉制Φ>76.2mm无位错FZ硅单晶的两种工艺热场分析
对国产设备试制及生产Φ>76.2mm无位错FZ硅单晶的两种最为稳定的工艺热场作了较全面的分析总结.
硅单晶、无位错
TN3(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
55-59
10.3969/j.issn.1003-353X.1999.02.015
硅单晶、无位错
TN3(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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