10.3969/j.issn.1003-353X.1999.02.013
双极晶体管发射结电流趋热效应及其对结温测量的影响
研究了当双极晶体管芯片有源区出现热斑时流经其发射结的电流的趋热行为及其对用ΔV BE法测量结温的影响,提出了一种快速判定器件有源区温度分布均匀性的办法.
双极晶体管、ΔVBE法、温度分布、趋热
TN3(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
44-46
10.3969/j.issn.1003-353X.1999.02.013
双极晶体管、ΔVBE法、温度分布、趋热
TN3(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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