10.3969/j.issn.1003-353X.1999.02.012
辐射加固54HC系列集成电路的研制
在分析电离辐射引起场区隔离失效机理及场区电离辐射加固技术的基础上,开发了一套适用于研制辐射加固54HC系列和辐射加固大规模集成电路的CMOS工艺技术.辐射实验结果表明,该技术可比非加固电路的抗总剂量辐射能力提高两个数量级.
电离辐射、场区辐射加固技术、电路、CMOS工艺技术
TN3(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
40-43
10.3969/j.issn.1003-353X.1999.02.012
电离辐射、场区辐射加固技术、电路、CMOS工艺技术
TN3(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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