10.3969/j.issn.1003-353X.1999.02.005
采用磁控管方式溅射的电子回旋共振等离子体沉积技术的研究
将磁控管方式溅射用于微波ECR等离子体沉积技术.在低气压和低温下沉积了高度C轴取向的ZnO薄膜,其膜的沉积速率比普通ECR溅射中所得到的速率大得多,并且在Φ12cm的膜区域内显示出良好的均匀性.
磁控管方式、溅射、ECR等离子体、ZnO薄膜
TN3(半导体技术)
国家自然科学基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
16-19
10.3969/j.issn.1003-353X.1999.02.005
磁控管方式、溅射、ECR等离子体、ZnO薄膜
TN3(半导体技术)
国家自然科学基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
16-19
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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