n型GaAs MESFET沟道特性的研究

摘要：

报道了n型GaAs MESFET漏源电流Ids和栅源电压Vgs间的关系,发现在负栅压状态下,沟道特性分四个区域:过调制区、线性调制区、过渡区和夹断区,并且零栅压饱和漏源电流大的器件线性调制区的范围较大,过渡区的范围较小.

关键词：GaAs、沟道特性、器件

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：13-15