提高IGBT开关速度的技术

摘要：

简要分析了IGBT(绝缘栅双极晶体管)的工作机理,制作了20A/1050V的IGBT芯片,给出了测试结果,并对试制样品中子辐照前后的关断特性作了详细的比较和讨论.

关键词：绝缘栅双极晶体管、开关时间、辐照

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：9-12