宽禁带半导体功率器件

摘要：

阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题,并对其未来的发展作出展望.

关键词：宽禁带半导体、功率器件、碳化硅、金刚石

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4