关于NO氮化SiO2超薄栅介质膜的研究

摘要：

研究了采用NO快速热氮化SiO2膜的方法制备超薄栅介质膜,并初步制备出约5nm超薄栅的MOS电容和约6nm超薄栅的NMOSFET,NO氮化改善了超薄SiO2膜的性能.

关键词：快速热氮化、界面态、热载流子效应、一氧化氮(NO)

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：46-51