离子束刻蚀

摘要：

介绍了几种常用的干法刻蚀技术的机理,重点介绍了离子束刻蚀的基本原理,给出了55种不同材料在500eV能量1mA/cm2束流密度条件下的刻蚀速率,并给出了刻蚀速率随束流能量和束流密度增加而增加的试验结果和实际图形刻蚀的扫描电镜分析结果,对有关问题进行了讨论.

关键词：离子束、刻蚀、速率

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：39-42